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P4SMAJ8.5A-2016 View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Part Name
Description
Manufacturer
P4SMAJ8.5A Datasheet PDF : 4 Pages
1 2 3 4
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 400W
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 170 V
VBR = 6.8 ... 200 V
Version 2016-05-30
~ SMA / ~ DO-214AC
5± 0.2
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
1± 0.3
Type
Typ
0.15
4.5± 0.3
Features
Besonderheiten
Uni- and Bidirectional versions
Uni- und Bidirektionale Versionen
Peak pulse power of 400 W
400 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs waveform)
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Very fast response time
Sehr schnelle Ansprechzeit
Further available: P4SMA220...550CA Auch erhältlich: P4SMA220...550CA
having VBR = 220 ... 550 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
mit VBR = 220 ... 550V
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Dimensions - Maße [mm]
Taped and reeled
Weight approx.
7500 / 13“
0.07 g
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
Solder & assembly conditions
UL 94V-0
Gehäusematerial
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Typ-Code = VWM. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
TT = 75°C
TA = 25°C
Grenzwerte 2)
PPPM
400 W 3)
PM(AV)
IFSM
Tj
TS
1W
40 A 4)
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Max. instantaneous forward
voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A VBR ≤ 200 V
VF
Thermal resistance junction to ambien –Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
Kennwerte
< 3.5 V 4)
< 70 K/W 5)
< 30 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
5 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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