DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

VRD0825MLX View Datasheet(PDF) - AnaSem Semiconductors

Part Name
Description
Manufacturer
VRD0825MLX Datasheet PDF : 36 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next Last
Rev. C09-08
高速度, 低压差, ±1% 高输出精度 CMOS双路稳压器
VRD 系列
电子规格 ()
项目
电流功耗
符号
条件
最低
(Ta=25°C 除非另有注明)
一般
最高
单位
测试
电路
IDD VIN=VOUT+1.0V, VOUT=Open, IOUT=0mA
-
50 80 μA 2
静态电流消耗
ISTB EN=VSS
- 0.01 0.1 μA 2
输入电压范围
VIN
1.6
-
6.0 V 1
负载调节
交流电源电压变化
嘈音抑制比
电流限制
VOUT VIN=VOUT+1.0V, IOUT=0.1mA ~ 100mA
VOUT /
VIN•VOUT
VOUT+1.0VVIN6.0V, IOUT=30mA
Rr
VIN=VOUT+1.0V, f=1KHz,
VRIP=0.5VP-P, IOUT=30mA
ILIMIT EN=VIN
-
10 40 mV 1
- 0.01 0.1 %/V 1
-
75
-
dB 3
300
-
- mA 1
短路电流
电压输出-温度稳定性
EN 高端电压
ISHORT VIN=VOUT+1.0V, VOUT=0V
VOUT / VEN=VIN, IOUT=300mA
Ta•VOUT Ta=–40°C ~ +85°C
VENH
-
40
- mA 1
±20
ppm
/°C
1
1.2
-
6.0 V 1
EN 低端电压
VENL
-
-
0.3 V 1
EN 高端电流
IENH VEN= VIN
–0.1 -
0.1 μA 1
EN 低端电流
IENL VEN= VSS
–0.1 -
0.1 μA 1
CL 自动放电阻抗值
RDIS VIN=6.0V, VOUT=4.0V, VEN= VSS
-
160
-
1
AnaSem Inc.
7
.......... Future of the analog world
 

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]