P137S View Datasheet(PDF) - Unspecified
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Description
Manufacturer
P137S Datasheet PDF : 3 Pages
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概 要
RT1P137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れて
ワンチップ化した複合トランジスタです。このトラ
ンジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数
の大幅な削減が可能となります。
RT1P137S
抵抗内蔵トランジスタ
スイッチング用
シリコンPNPエピタキシャル形
外 形 図
4.0
単位:mm
特 長
・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=22kΩ).
・コレクタ電流が大きい IC=-1A
・VCE(sat)が低い VCE(sat)=-0.3V
(@IC=-300mA/IB=-3mA)
用 途
インバ－タ回路、スイッチング回路、インタ－フェ－
ス回路、ドライバ回路
最大定格 (Ta=25℃)
記 号
VCBO
VEBO
VCEO
IC
I CM
PC
Tj
Tstg
項 目
コレクタ・ベ－ス間電圧
エミッタ・ベ－ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
せん頭コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
V(BR)CEO
I CBO
hFE
VCE(sat)
VI(ON)
VI(OFF)
R1
R2/R1
fT
項 目
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
入力抵抗
抵抗比率
利得帯域幅積
定格値
-40
-6
-40
-1
-2
600
+150
-55～+150
単位
V
V
V
A
A
mW
℃
℃
測 定 条 件
I C=-1mA, RBE=∞
VCB=-40V, I E=0
VCE=-5V, I C=-100mA
I C=-300mA, I B=-3mA
VCE=-0.2V, I C=-300mA
VCE=-5V, I C=-100μA
VCE=-6V, I E=10mA
0.1
0.45
1.27 1.27
1
2
3
電極接続
1 : エミッタ
2 : コレクタ
3 : ベ－ス
EIAJ :
JEDEC :
等価回路
Ｂ
( IN)
Ｒ１
Ｒ２
Ｃ
(O UT)
Ｅ
( GND)
マ－ク図
P13
7
最小
-40
100
0.4
0.7
20
特性値
標準
最大
-0.1
-0.1
-0.3
-2.4
-4.0
0.53
1.0
1.3
22
24
130
単位
V
μA
V
V
V
kΩ
MHz
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