F1200G View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Part Name
Description
Manufacturer
F1200G Datasheet PDF : 2 Pages
| |||
F1200A ... F1200G
F1200A ... F1200G
Superfast Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-02-01
Nominal Current
Nennstrom
Ø 8 ±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Type
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.2 ±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
12 A
50...400 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
1.3 g
Maximum ratings
Type
Typ
F1200A
F1200B
F1200D
F1200G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
12 A 1)
IFRM
130 A 1)
IFSM
650/715 A
i2t
2112 A2s
Tj
-50...+150°C
Tj
+200°C
TS
-50...+175°C
RthA
< 10 K/W 1)
RthL
< 2 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
|
|
Share Link: 